650 v 文章 進(jìn)入650 v技術(shù)社區(qū)
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨,2023年11月6日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系,共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計的高頻電源應(yīng)用,以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
- 關(guān)鍵字: Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅 整流二極管
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E,提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%,同時導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%,該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程,涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
- 關(guān)鍵字: Vishay 650 V 功率MOSFET
Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的650 V超快恢復(fù)整流管
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布,旗下面向工業(yè)和汽車領(lǐng)域的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。新增產(chǎn)品包括4個采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件,可應(yīng)用于車載充電器(OBC)和電動汽車逆變器,以及工業(yè)應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換器、PV逆變器和電源。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5),符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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